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gong lv shen hua zuo chang xiao ying jing ti guan he wei bo ji cheng dian lu shen hua zuo chang xiao ying jing ti guan gong lv fang da qi zhong de wen du yu ke kao xing de guan xi
Author(s): 
Pages: 42-48
Year: Issue:  10
Journal: Radar & Ecm

Keyword:  功率放大器微波集成电路砷化镓场效应晶体管失效率可靠性数据失效机理沟道温度可靠性研究晶体管芯片几何形状;
Abstract: <正> 虽然GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)的性能至少可根据几何形状和掺杂等因素大致加以预测,但其可靠性只能靠实测加以确定。金属结构、钝化,封装中轻微的差别,就会引起完全不同的老化特性。大多数的可靠性研究有三个目的。第一,得到能有效地估计器件在实际工况下的失效率所需的数据。第二,发现和理解失效机理,以便尽可能将其影响消除。第三,建立筛选法,确保生产的器件和可靠性数据所基于的组件完
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