Author(s): PENG Aihua, XIE Erqing, JIA Changwen, JIANG Ran, LIN Hongfeng, HE Deyan
Pages: 1562-1566
Year: 2004 Issue:  5
Journal: ACTA PHYSICA SINICA
Keyword:  多孔硅; 稀土掺杂; 光致发光; 电化学;
Abstract: 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土(Pr,Dy,Sc)离子的化学掺杂.用扫描电镜研究了多孔硅薄膜的表面形貌,用卢瑟福背散射谱研究了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况.利用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性,发现稀土掺杂增强了多孔硅的蓝光发射,尤其是Dy的掺杂可产生较强的蓝光发射,其强度可与多孔硅的红光强度相比较,适当的Pr和Sc的掺杂也可一定程度地增强多孔硅的蓝光发射.稀土掺杂多孔硅后产生蓝光发射的可能机理为:稀土掺杂引入新的表面态,形成硅、氧、稀土间新的键合方式O-Si-O-Re-O,从而在多孔硅表面形成新的发光中心;稀土离子丰富的能态在多孔硅发光过程中起到了能量传递作用,从而增强了多孔硅的蓝光发射.