Author(s): LIU Wenli, HAN Shenghao, ZHANG Han
Pages: 314-318
Year: 2004 Issue:  4
Journal: CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
Keyword:  结构; 结合能; 超导电性;
Abstract: 我们根据一种结构分块模型,计算了与超导转变温度Tc密切相关的块之间相互作用能,讨论了HgBa2CuO4+δ中载流子分布对相互作用能的影响.通过计算不同氧缺陷下,空穴在不同平面以及空穴在Cu-O平面不同位置上对相互作用能的影响,研究了它们与超导电性的关联.计算表明,空穴在Cu-O面上的位置不仅明显地影响到相互作用能的大小,而且影响相互作用能随氧含量的变化趋势,该结果为我们了解载流子在Cu-O面上分布是否均匀提供了一定的线索.结果还表明,HgBa2CuO4+δ中的载流子主要分布在Cu-O平面上.