Author(s): LUO Hongwei, YANG Yintang, ZHU Zhangming, JIE Bin, WANG Jinyan
Pages: 174-176,181
Year: 2004 Issue:  2
Journal: JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
Keyword:  FLOTOX; EEPROM; 退化; 可靠性;
Abstract: 分析了影响FLOTOX EEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOX EEPROM性能退化的主要原因.实验证实氧化层中的陷阱电荷对FLOTOX EEPROM性能的退化起主要作用.