Author(s): SHAO Qinghui, LI Zuo, LI Jiazuo, HUANG Jingyun, YE Zhizhen
Pages: 12-14
Year: 2003 Issue:  1
Journal: MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
Keyword:  欧姆接触; Si基n-GaN; 二次退火; 界面固相反应;
Abstract: 采用热壁外延的方法在硅衬底上生长出n-GaN晶体,制成了Ti/Al双层电极的欧姆接触.通过对不同退火条件下的I-V特性曲线、X射线衍射及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对该接触的影响,并提出了一种新的二次退火的方法.结果表明,经过二次退火后,Al、Ti、GaN发生了界面固相反应,其接触性能明显提高.