Author(s): Wang Dongyang, He Wei, Li Ling, Zhai Jianpang
Pages: 350-356
Year: 2015 Issue:  4
Journal: Journal of Shenzhen University(Science & Engineering)
Keyword:  crystallography; sapphire crystal; Kyropoulos method; crystal growth; LED substrate; crystal defects;
Abstract: 分析了泡生法生长大尺寸、光学质量蓝宝石单晶工艺,探讨了影响蓝宝石晶体生长的9大因素:①温场的轴向和径向温度梯度大小对晶体生长的影响;②氧化锆层对晶体质量的影响;③原料对晶体生长的影响;④籽晶的质量和晶向对晶体生长的影响;⑤引晶对晶体中残余应力、位错和晶界的影响;⑥放肩角度对晶体的影响;⑦等径生长速度对晶体的影响;⑧收尾拉脱与否对晶体质量的影响;⑨退火时间长短对晶体的影响.通过分析各影响因素,改进生长工艺,成功生长出70 kg蓝宝石单晶.对其进行表征发现,在晶体气泡、晶体方向和应力等方面均达到发光二极管芯片衬底要求.