Author(s): XIAO Peng, XU Yongdong, HUANG Boyun
Pages: 240-243
Year: 2002 Issue:  2
Journal: JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
Keyword:  碳/碳化硅; 化学气相浸渗; 沉积速率; 有效利用率; 复合材料;
Abstract: 为缩短CVI法制备C/SiC复合材料的工艺周期并降低成本, 研究了CVI工艺过程中沉积温度、MTS(CH3SiCl3)摩尔分数和气体流量对SiC沉积速率和MTS有效利用率的影响. 实验结果表明:提高沉积温度, 常压下1 100 ℃时增大MTS摩尔分数 (11%→19%), 都有利于提高SiC沉积速率;提高沉积温度和降低反应物气体流量, 能提高MTS有效利用率. 在优化的工艺条件下, 预制体的微观孔隙内沉积了致密的SiC基体, 沉积速率达到142 μm/h左右, 并有效消除了基体中裂纹的形成. MTS的有效利用率为11%～27%.