Author(s): HUANG Fulujiang, ZHU Changchun, HUAI Yongjin
Pages: 382-388
Year: 2002 Issue:  2
Journal: ACTA PHYSICA SINICA
Keyword:  硅; 掺杂; 场致发射;
Abstract: 基于漂移-扩散模型和量子理论中的WKB方法,用数值模拟方法分析了材料掺杂浓度对硅锥阴极场致发射特性及工作状态的影响,结果表明,硅锥阴极单纯的场致发射Iemit|E特性受硅材料掺杂浓度的影响很小.但低掺杂硅锥阴极顶端的电位随发射电流增大而明显上升.锥体上电位变化可以等效为一个与锥体形状与掺杂相关的串联电阻的作用,这一电阻对单尖发射电流有负反馈作用.另外,在常规的工作状态下,硅锥阴级的温升并不严重.这些结果可以作为硅锥阴极设计的参考.