Author(s): Mukai T, Nagahama S, Iwasa N, Senoh M, Matsushita T, Sugimoto Y, Kiyoku H, Kozaki T, Sano M, Matsumura H, Umimoto H, Chocho K
Pages: 48-52
Year: 2001 Issue:  z1
Journal: CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
Keyword:  InGaN; 发光二极管; 激光二极管;
Abstract: 在InGaN发光二极管中,尽管存在着大量的位错,但其效率还是相当高的.用InGaN作为有源层是很重要的.在InGaN基LED的情况下,为产生光发射需要较高的激发功率.横向大面积外延生长的GaN激光二极管(LDs)是在厚的GaN衬底上外延制备成的.在温度250℃、30mW输出的连续工作状态下,其工作电流小于42mA,600℃、30mW输出的连续工作状态下的寿命约为15 000小时.这些结果表明,螺旋位错密度的降低延长了激光二极管的寿命.此外,良好的散热也是很重要的.