Author(s): YUAN Jinshe, QI Ming, LI Aizhen, XU Zhuo, CHEN Guangde
Pages: 75-78
Year: 2001 Issue:  z1
Journal: CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
Keyword:  GaN; X光电子谱; 俄歇电子谱; 分子束外延;
Abstract: 用X光电子谱和俄歇电子能谱的方法对射频等离子体辅助分子束外延(MBE)技术生长的氮化镓(GaN)薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为表面污染,而O形成一定的深度分布,从而影响氮化镓薄膜的电学和光学性质.