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xin xing tie dian cun chu qi jian de yuan li ji ying yong
Pages: 28-30+32
Year: Issue:  3
Journal: Electronic Component & Device Applications

Abstract: 铁电存储技术早在1921年就已经提出来了,但直到1993年,美国Ramtron国际公司才成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品。目前,所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年,FRAM又有新的发展,采用了0.35μm工艺,推出了3V产品,开发出“单管单容”存储单元的FRAM,最大密度可达256K位。FRAM器件的晶体结构及工作原理FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高
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