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gong zuo dian ya 1.8v de gong lv mosfet xi lie qi jian wei bian xie shi she ji zhong de di dian ya ying yong sao qing liao zhang ai
Pages: 26
Year: Issue:  3
Journal: Electronic Products China

Keyword:  功率MOSFET便携式设计工作电压低电压移动通信负载切换接通电阻计算应用栅极电压系列产品;
Abstract: <正> 十二种新型的Little Foot MOSFET系列产品据称是业界首批工作电压低到1.8V的功率MOSFET。由于解决了在低电压下负载切换的问题,这种P通道晶体管显然扫除了移动通信和计算应用中低系统电压的开发过程中所遇到的障碍。 根据生产厂家的介绍,这些器件还提供了在1.8、2.5和4.5V栅极电压下业界极低的接通电阻。例如Si4465DY,4.5V时RDS(on)=9mΩ,2.5V时为11 mΩ,1.8V时为16mΩ。这些值比现有的器件提高了35%。 MOSFET有单管和双管两种,其漏源电压的额定值为8V或12V。器件有8引
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