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yong zuo pentiumtm,power pctm de er ci chao gao su huan chong cun chu qi de li xiang 1 zhao wei cmos tong bu kuai su sram pd431132l/ pd431232l
Author(s): 
Pages: 103-107
Year: Issue:  10
Journal: Electronic Products China

Keyword:  超高速缓冲存储器流水线型PentiumCMOS字符组存取时间静态随机存取存储器Power随机存取系统传送方式;
Abstract: <正> 一、开发背景 快速SRAM(静态随机存取存储器)近来已将其应用范围扩大到作为超大型计算机、主计算机、工作站和个人计算机的超高速缓冲存储器,或者是作为测量仪器和通信设备的缓冲存储器。特别是,当更多的微处理机产品在市场上日益成为实用产品时,要求开发快速SRAM作为一种能描绘微处理机全部性能的超高速缓冲存储器。 为了满足这一要求,NEC推出了支持Mips的μPD461016L和μPD461018L以及支持PA-RISCTM*1μPD46258。今次,NEC开发了1兆位CMOS同步快速SRAM,可以用作Intel公司Pentium*2和IBM公司Power PC*3的二次超高速缓冲存储器。
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