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pd-mos fet qing min yi
Author(s): 
Pages: 13-15+48
Year: Issue:  9
Journal: Application of Electronic Technique

Keyword:  研制成功线性化开启电压氢敏器件氢含量场效应管含氢量电路图环境气氛选择性;
Abstract: <正> 一、前言钯栅MOS场效应管(简称Pd-MOS FET)是一种性能优异的氢敏器件,1975年最先见于Lunstrom等人的报告我们研究室也于1979年研制成功。其氢敏机理的要点在于:Pd-MOS FET的开启电压随环境气氛含氢量的增加而下降。值得着重指出的是,此器件用于检测氢含量时显示了下列优点: (1)选择性好。它只对H2敏感,对不析出氢的其它气体则毫不敏感,因为它只让氢渗入。(2)氢敏性强。测试数据表明,当空气中的氢含量由0.5ppm变至5ppm时,此器件的开启电压下降量
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