Author(s): ZHOU Min
Pages: 45-48+67
Year: 1973 Issue:  4
Journal: Journal of Functional Materials
Keyword:  发光材料; 发光效率; 半导体材料; 新方法; 半导体化合物; 制备; 晶体材料; 蒸气压; 材料制作; 高压单晶炉;
Abstract: <正> 一、简况: 作为发光材料包括诸如GaAs,GaPGaAlAs,GaAsP,InGaP合金等Ⅲ—Ⅴ半导体化合物,以及在GaAs上涂布萤光如YoCl、Y_b、E_r、T_m等材料。除此之外,还有Ⅳ族半导体SiC,Ⅱ—Ⅵ族半导体ZnSZnSe、CdTe、新制材料GaN等。其中,