Author(s): WANG SHU-FANGZHOU YUE-LIANGZHU YA-BINLIU ZHENZHANG QINCHEN ZHENG-HAOLU HUI-BINYANG GUO-ZHENLaboratory of Optical Physics, Institute of Physics and Center of Condensed Matter Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing100080
Pages: 230-233
Year: 2003 Issue:  S1
Journal: Chinese Journal of Low Temperature Physics
Keyword:  化学气相沉积;  MgB2;  开放实验室;  中国科学院;  光物理;  物理研究所;  超导薄膜;  晶粒粒度;  超导转变温度;  化学气相沉积技术;
Abstract: 本文报道了利用化学气相沉积技术制备MgB2 超导薄膜 .首先在MgO(1 1 1 )基片上化学气相沉积一层B膜 ,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理 .退火后得到的MgB2 薄膜在MgO(1 1 1 )基片上呈随即取向生长 ,Mg、B原子比接近于 1∶2 .4;薄膜表面光滑致密 ,晶粒粒度约为 0 .5μm .电阻测量和直流磁测量表明薄膜超导转变温度为 38K ,转变宽度仅为0 .1K .毕恩公式计算结果显示MgB2 薄膜的临界电流密度在 0T、1 0K时高达 2×1 0 7A/cm2 .