Author(s): ZHAI Qian-Qian, ZHAO Shi-Gui, WANG Xiao-Hai, LI Xiu-Zhi, LI Wen-Jie, ZHENG Ya-Sen
Pages: 58-62
Year: 2013 Issue:  1
Journal: Journal of Inorganic Materials
Keyword:  硅;  羟基磷灰石;  化学沉淀;  仿生;
Abstract: 为了探究仿生纳米含硅羟基磷灰石的合成条件及含硅量对其结晶性能的影响,以Ca(NO3)2、(NH4)2HPO4和Si(OCH2CH3)4(TEOS)为原料,采用化学沉淀法制备了不同含硅量的羟基磷灰石,并通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X射线荧光光谱(XRF)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)对材料进行了表征。结果表明较低温(40℃)时有利于合成纯净的仿生纳米含硅羟基磷灰石,SiO44-取代部分PO43-进入羟基磷灰石的晶格。随着含硅量的增加,仿生纳米含硅羟基磷灰石的结晶度和晶粒尺寸均降低,晶胞参数a和c均增大。