Author(s): XU Guang-tao, LI Chun-sheng
Pages: 112-115
Year: 2012 Issue:  4
Journal: China Forestry Science and Technology
Keyword:  霍山石斛; 基质; 栽培措施; 成活率; 生长量;
Abstract: 研究了不同基质和栽培措施下,霍山石斛组培苗在温室内的生长情况.结果表明,在9种不同基质和4种不同栽培措施的处理下,霍山石斛的各项生长指标有显著差异(P =0.0001 ＜0.01).(1)炼苗成活率:以C-f组合最高(96％),其次是C-g组合和D-f组合(92％).(2)茎生长:新茎数以C-f组合为最高(36枝):茎高各处理差异不大,以C-f组最高(13.5 mm);茎粗以C-f和D-h组合表现较好.(3)根生长:新根数以C-f组合为最多(38.1根),其次C-g组合(36.7根);根长以C-g组合为最高(17 mm),其次C-d组合(16.9 mm);根粗以C-h和D-f组合(1.6 mm)为好.(4)苗木根茎比:以基质C-d组合为最高,其次是D-d、B-d.因此,在培育霍山石斛组培苗时,采取C处理(包根、喷施JT溶液)和f基质(树皮碎屑、米心石质量比2:1)是提高炼苗成活率和促进苗木健康生长的最佳栽培措施.