Author(s): Zu Xiulan, Lou Benchao, Li Yan, Liu Wan, Hu Yonghong, Zhang Qinlong, Zhou Changgeng
Pages: 172-175
Year: 2012 Issue:  2
Journal: Vacuum Science and Technology
Keyword:  高频离子源;  引出电极;  离子光学设计;  模拟计算;
Abstract: ns-200中子发生器采用的是高频离子源,面临着提高离子源的性能,增大引出束流的技术改造问题。为此开展了高频离子源的设计研制工作。高频离子源采用管道式引出结构和三圆筒单透镜聚焦系统。根据设计指标要求和离子光学原理,经过计算和优化,确定了引出系统和聚焦系统的主要参数。采用传输矩阵和束矩阵(σ矩阵)相结合的数值计算方法,运用LEADS软件模拟计算了束流传输过程,模拟计算的结果与理论设计相吻合。在ns-200中子发生器上进行了初步的实验,表明设计的高频离子源束流光学系统是合理的。