Author(s): XIE Sheng1, FENG Zhi-hong2, LIU Bo2, MAO Lu-hong1, ZhANG Shi-lin1
Pages: 784-787
Year: 2011 Issue:  S5
Journal: Journal of Functional Materials
Keyword:  高电子迁移率晶体管;  铝铟氮;  氮化镓;
Abstract: 由于GaN基材料的高温性能好,AlInN/GaN异质界面具有更高的二维电子气密度,因而AlInN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有更高的工作频率和饱和漏电流,以及更强的抗辐射能力,近年来成为微波功率器件和放大电路的研究热点。首先总结了AlInN材料的基本性质,分析了AlInN/GaNHEMT的材料生长和器件结构设计,最后总结了其在高频、大功率方面的最新进展。