Author(s): XU Jian-hua, ZHAO Bei-jun, ZHU Shi-fu, CHEN Bao-jun, HE Zhi-yu, WAN Shu-quan
Pages: 304-308
Year: 2011 Issue:  2
Journal: Journal of Synthetic Crystals
Keyword:  AgGa1-xInxSe2; 热处理; 红外透过率; 热分析; 光学质量; 结晶质量;
Abstract: 结合差示扫描量热曲线(DSC)和相图确定出热处理的温度范围.分别在真空和AgGa1-xInxSe2(x=0.2,0.6,0.8)多晶粉末包埋下,对ASGa0.4In0.6Se2晶体进行了热处理实验,分析了热处理对晶体性能的影响.结果表明:用x=0.6和0.8的多晶粉末包埋,在680℃下保温120 h后再淬火处理的晶片,其红外透过率在550～5500 cm-1波数范围内整体提高到65%以上,光学质量...