Author(s): XIE Sheng, ZHANG Bin, MAO Luhong, GUO Weilian, CHEN Yan, YU Xin, ZHANG Shilin
Pages: 599-604
Year: 2010 Issue:  4
Journal: Chinese Journal of Luminescence
Keyword:  集成光学; 微环谐振器; 单模条件; 波导耦合器;
Abstract: 利用有限元法(FEM)分析了大横截面SOI(Silicon-on-insulator)脊型波导的本征模式分布,确定了脊型波导的单模条件.在保证单模传输的情况下,模拟了SOI微环谐振器中波导耦合器的耦合长度、功率耦合系数与波导尺寸和间距的关系.模拟结果表明:对于W=1μm,H=2μm的SOI脊型波导耦合器,耦合长度Lc随波导间距d的增加而增大,功率耦合系数随之减小.在波导间距d<O.8 μm的情况下...