Ni-Enhanced Photoluminescence of Er~(3+) Doped in Si-Rich Nitride
Author(s): SUN Kai, XU Wanjin, RAN Guangzhao
Pages: 12-16
Year: 2010 Issue: 1
Journal: Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis
Keyword: Si-rich nitride; Er; Ni; photoluminescence;
Abstract: 采用反应磁控溅射技术沉积了掺Er的富硅氮化硅(SRN∶Er)薄膜和SRN∶Er/Ni 3个周期的超晶格,两种薄膜都在1100℃进行退火实验.SRN∶Er薄膜的光致发光谱为一个峰位在665～750 nm的发光带和一个峰位在1.54 μm的发光带,前者来源于SRN薄膜中的纳米硅,后者为Er~(3+)的特征发射.SRN∶Er/Ni超晶格的光致发光谱上出现Er~(3+)在520,550和850 nm附近的...
Pages: 12-16
Year: 2010 Issue: 1
Journal: Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis
Keyword: Si-rich nitride; Er; Ni; photoluminescence;
Abstract: 采用反应磁控溅射技术沉积了掺Er的富硅氮化硅(SRN∶Er)薄膜和SRN∶Er/Ni 3个周期的超晶格,两种薄膜都在1100℃进行退火实验.SRN∶Er薄膜的光致发光谱为一个峰位在665～750 nm的发光带和一个峰位在1.54 μm的发光带,前者来源于SRN薄膜中的纳米硅,后者为Er~(3+)的特征发射.SRN∶Er/Ni超晶格的光致发光谱上出现Er~(3+)在520,550和850 nm附近的...
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