Author(s):Gou Yinning, Huang Nan, Sun Hong Pages:557-560 Year:2008
Issue:6 Journal:Journal of Vacuum Science and Technology Abstract:采用磁过滤直流阴极真空弧源沉积技术,通过改变基体偏压,在单晶Si片和0Cr19Ni9基体表面制备了C/C多层类金刚石薄膜.为了考察多层膜的热稳定性,对薄膜进行了300~C及400~C退火处理,采用x射线光电子能谱、硬度实验及摩擦磨损性能测试分析了退火对薄膜结构及性能的影响.结果表明在400~C范围内多层膜具有较高的热稳定性.