Author(s): YAN Guanchao, DING Siye, ZHU Xiaodong~*, ZHOU Haiyang, WEN Xiaohuianddingfangcaskeylaboratoryofbasicplasmaphysics, DEPARTMENT Ofmodernphysics, UNIVERSITY Ofscienceandtechnologyofchina, hefei, 230026, china
Pages: 326-329
Year: 2006 Issue:  4
Journal: Vacuum Science and Technology
Keyword:  -αSiC;  纳米;  HMDSO;
Abstract: 本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为先驱物质、氢气为稀释气体,进行了等离子体化学气相沉积碳硅薄膜的实验研究。运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对薄膜的成份和结构进行了分析。结果表明,在生长温度为750℃的条件下成功地得到了纳米-αSiC沉积,碳化硅晶粒被包覆在非晶的SiOxCy∶H成分中。薄膜由椭球状的颗粒组成,且随着HMDSO比例的增加,薄膜的结晶度和表面均匀性都得到改善。高流量氢气和HMDSO单体的使用被认为有效地促进了-αSiC晶体的形成。