Author(s): SUN Yuan, LI Chi, SU Xing, LEI Wei~*, ZHANG Xiaobingandwangbaoping(departmentofelectronicengineering, SOUTHEAST University, nanjing, 210096, china)
Pages: 272-276
Year: 2006 Issue:  4
Journal: Vacuum Science and Technology
Keyword:  偏转线圈;  偏转角;  枕形失真;  光栅畸变;  会聚误差;
Abstract: CRT具有颜色逼真、分辨率高、技术成熟等优点,为了克服其体积大、笨重的不足,增加电子束偏转角度已经成为CRT的发展趋势。本文对超大偏转角的偏转线圈进行了理论研究,优化了线圈绕线分布和校正磁铁位置,减小光栅畸变和会聚误差。最后本文得到超大偏转线圈工作特性的理论极限。该研究结果可为超大偏转角CRT的研发提供理论指导。