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Variations in Microstructures of Copper Film Oxidation at 100 ℃~400 ℃
Author(s): 
Pages: 268-271
Year: Issue:  4
Journal: Vacuum Science and Technology

Keyword:  铜薄膜 氧化 原子力显微镜 微观表征;
Abstract: 本文研究了在100℃~400℃下溅射制备的40 nm铜薄膜的氧化行为。利用原子力显微镜(AFM)观察了铜薄膜氧化前期的微观形貌,并利用X射线衍射(XRD)和能量分散X射线谱(EDX)分析了其晶相结构和成份。随着温度的升高,铜薄膜氧化速率明显加快。在100℃下,Cu薄膜表面生成岛状非晶氧化物,温度升高至200℃后,生成Cu2O相的同时Cu薄膜表面产生重构现象,呈现疏松的网状结构。300℃和400℃下Cu薄膜几乎全部氧化,分别形成均匀分布的Cu2O和CuO晶粒。结果表明,利用AFM和XRD能灵敏地跟踪纳米尺度Cu薄膜的氧化过程。
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