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Simulation of Ti Target Characteristics in TiO_2 Film Growth by Medium Frequency Reactive Magnetron Sputtering
Author(s): 
Pages: 363-367
Year: Issue:  5
Journal: Vacuum Science and Technology

Keyword:  中频反应溅射 二氧化钛 模拟 滞回曲线;
Abstract: 中频反应溅射沉积二氧化钛膜难于控制的主要原因是钛靶的强金属性,使滞回曲线(hysterrisis curve)过渡区临界.实验结果表明,钛靶电压随氧气流量在非平行的过渡区作非单调的变化。建立在化学吸附模型基础上的模拟结果与实测的滞回曲线基本吻合,并可预期功率对靶电压及过渡区位置的影响。模拟进一步考虑到离子注入的影响,计算结果表明,金属态靶电位的波动是由于反应气体离子的注入和反应气体分子化学吸附之间的相互竞争,从而解释了靶电压在过渡态之间出现升高的实验现象。
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