Author(s): GOU Jun, WU Zhiming, TAI Huiling, YUAN Kai
Pages: 864-866,870
Year: 2009 Issue:  5
Journal: Chinese Journal of Electron Devices
Keyword:  反应离子刻蚀; 氮化硅; 刻蚀气体; 优化;
Abstract: 采用CHF3、CHF3+CF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验,研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响.通过优化气体配比,比较刻蚀结果,最终获得了刻蚀速率为119 nm/min,均匀性为0.6%,对光刻胶选择比为3.62的刻蚀氮化硅的优化工艺.