Author(s): JIA Hu-jun, YANG Yin-tang, LI Yue-jin
Pages: 298-300,330
Year: 2009 Issue:  2
Journal: Journal of Xidian University(Natural Science)
Keyword:  多晶碳化硅薄膜; 多孔硅; 常压化学气相淀积; 生长; 表征;
Abstract: 采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅村底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表明,当多孔硅孔隙率较低时,得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶硅薄膜,随着孔隙率的增加,生长薄膜由富碳多孔SiC向多晶SiC薄膜过渡,表面平整度增加,并具有<111晶向择优生长的特点.