Author(s): Zhu Xiaojian, Hong Bo, Jin Chenggang, Wu Xuemei
Pages: 213-216
Year: 2009 Issue:  4
Journal: Micronanoelectronic Technology
Keyword:  铬掺杂碳化硅; 双离子束溅射沉积; 傅里叶变换红外光谱分析法; 喇曼光谱分析法; 光致发光;
Abstract: 利用高纯SiC烧结靶上粘贴金属Cr片的复合靶用双离子束溅射沉积方法,在Si和KBr单晶衬底上制备了掺杂SiC薄膜.用傅里叶变换红外光谱分析法(FTIR)和喇曼光谱仪对制得的薄膜样品进行了表征,用荧光分光光度计对样品的光致发光(PL)特性进行了研究.通过FTIR分析得到对应于Si-C键的峰位没有发生明显改变而峰强随着Cr掺杂量的增加而降低,喇曼光谱分析发现Cr掺杂导致Si和C团簇的形成,说明Cr的掺杂阻碍了Si-C键的结合.将不同Cr掺杂浓度的SiC薄膜经1000℃退火处理,发现位于413、451和469nm的三个发光峰的位置基本不变,但强度有明显改变.