Author(s): XI Jun-jie, WANG Li-qiu
Pages: 18-21
Year: 2008 Issue:  5
Journal: TRANSACTIONS OF MATERIALS AND HEAT TREATMENT
Keyword:  SiC/MoSi2复合材料; 低温氧化; 氧化粉化;
Abstract: 研究了不同SiC体积分数(30%～50%)的SiC/MoSi2复合材料低温500℃的氧化性能.结果表明:SiC/MoSi2复合材料在低温(500℃)时具有优异的抗氧化性能,氧化500h没有发生氧化粉化现象.复合材料的氧化增重随SiC体积分数的增加而减少.复合材料表面的抗氧化保护层均匀致密,材料内部缺陷少,材料内部品界没有发生Mo与Si的氧化,材料的抗低温氧化性能得到显著提高.