Author(s): JI Ming, CHEN Zhe, TIAN Da-yu, WANG Wei, ZHANG Guo-bing, ZHANG Hai-xia
Pages: 72-75
Year: 2008 Issue:  1
Journal: NANOTECHNOLOGY AND PRECISION ENGINEERING
Keyword:  SiC; W; 退火; 离子注入; 应力; 应力梯度;
Abstract: 等离子增强化学气相沉积(PECVD)SiC谐振器的制作面临导电和应力及应力梯度控制问题.为了解决导电问题,采用金属W作为导电材料,它耐HF腐蚀,可简化工艺.使W薄膜应力最小的溅射条件为:Ar压力2.0 Pa,功率300 W,反溅射工艺;为了解决应力梯度问题,采用双层金属结构、退火和离子注入3种手段.在离子注入电压120 keV、剂量1.6×10 16cm-2、不退火的条件下,可以得到应力梯度最小、结构完好的PECVD SiC谐振器.