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Micro-Etching Holes in the Thin Film Fabrication
Author(s): LI Bo, XU Chen, SONG Yi-chao, SHEN Guang-di
Pages: 245-
248
Year: 2007
Issue:
4
Journal: NANOTECHNOLOGY AND PRECISION ENGINEERING
Keyword: 浓硼重掺杂硅薄膜; 深刻蚀; 微蚀孔;
Abstract: 研究了自终止腐蚀停法制备浓硼重掺杂硅薄膜的腐蚀孔问题.许多MEMS结构需要进行2次或2次以上的深刻蚀,有些需要在多次深刻蚀后释放超薄的悬空薄膜结构,这时薄膜表面极易出现微小的腐蚀孔.分析可知,微蚀孔并不完全在第2次腐蚀的过程中形成,而是从第1次深腐蚀过程中对掩膜层的钻蚀开始的.对掩膜层的钻蚀,导致硅表面出现轻微腐蚀,形成细小的凹坑,并在浓硼扩散和第2次深腐蚀中被放大,最终在成膜过程中形成小孔.分析了微蚀孔的成因,提出了工艺上的解决方法,形成了一套重复性好的成膜工艺.
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