Author(s): WANG Ying, CAO Fei, WU Chun-yu
Pages: 1140-1143
Year: 2007 Issue:  4
Journal: CHINESE JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
Keyword:  台面半导体器件; 钝化; 表面空间电荷层; 表面耗尽区;
Abstract: 进一步研究了半导体斜角造型p-n结的表面空间电荷层模型与表面耗尽区模型.计算了耗尽情况下p-n结的表面空间电荷密度,分析了等效表面电荷密度对正斜角造型p-n结表面耗尽区的影响.利用聚酰亚胺和聚酯改性漆钝化的晶闸管电学特性证实了等效表面电荷密度对台面半导体钝化的影响.同时,通过分别采用聚酰亚胺和掺氧多晶硅钝化的高压整流管研究表明,基于掺氧多晶硅的钝化结构具有屏蔽电荷和均匀电场的作用.